导电，必须向纯净半导体中引入杂质，而离子注入是一种常用的方法，下面来具体介绍离子注入的概念。

  杂质的掺杂是芯片制造中十分重要的一步，几乎所有的集成电路LED，功率器件等都要使用到掺杂。本征硅的导电性能很差，需要在本征硅中引入少量杂质，增加可移动的电子或空穴的数量，以改善其电性质，使硅能够很好的满足半导体制作的标准。

  其中，扩散与离子注入是常见的两种掺杂方式。但是和扩散相比，离子注入具有很多优势，是现代集成电路制造的主流工艺，因此要着重讲一讲。

  离子注入（Ion Implantation），是一种精确地向半导体中引入杂质的方法。首先将所需的杂质电离，然后在电场中加速形成一个集中的离子束。这束离子随后打在硅片表面，这些高能粒子进入晶格并与一些硅原子碰撞而失去能量，最终在某个深度停止，使得离子穿透并嵌入到硅片中。

  导电能力与载流子的浓度有关，载流子浓度能够最终靠控制注入的杂质浓度来调整。增加注入的杂质浓度会增加载流子的数量，从而增加硅的导电能力。

  1，离子注入能够非常准确地控制注入离子的深度和浓度。通过调整注入的能量，能控制离子的渗透深度，而通过调整注入时间或束流，能控制注入剂量。

  2，离子注入能够正常的使用几乎任何类型的掺杂杂质，而有些杂质的掺杂无法通过扩散的方式来实现。

  3，离子束可以聚焦到非常细小的区域上，它可根据预先设定的路径在硅片上移动。在某些产品中，有时不需要在整个硅片上均匀地注入离子，而是只需要在特定的图案注入，这样一来，离子注入引入杂质的方法就很精准和方便。

  4，与扩散掺杂等需要高温的方法相比，离子注入可以在相对低的温度下进行（125℃以下）。这样就避免了高温对于器件影响。

  光刻胶：在低能离子注入中表现良好，因为低能离子不容易穿透光刻胶。但在高能离子注入中，在大多数情况下要更厚的光刻胶或别的类型掩膜材料来确保有效的阻挡。

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